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SIC单晶炉是针对碳化硅单晶生长专用工艺设备,也可用于氮化铝的单晶生长工艺。
SIC单晶炉设备特点
· 设备采用高频电源感应加热、水冷感应线圈,水冷箱及高温密封,并具备对生长室内的高真空度进行检测、温度的精确测量、加热过程的程序化控制,石墨坩埚与感应加热线圈之间相对位置的调节以及Ar等多种气体的定量定压供给等功能,使设备在冷却、隔热和抗电磁辐射等方面有着非常好的效果;
· 设备为晶体生长提供一个理想的工艺环境条件,保证SiC晶体的稳定生长;
· 设备可以有效的避免加热装置对晶体的污染,同时也相对增加了工作空间。
技术参数
加热温度 | 温度2500°C |
高周波电源 | 50kw,7-15KHz |
温度测量 | 利用上下红外放射温度计测温 |
控制方式 | 线圈电流控制(ACC)、放射温度计控制(ATC) |
温度控制精度 | 手动方式 |
气氛 | 士0.1%FS(ACC)、2500 °C士5 °C (ATC) |
极限圧力 | 真空、Ar 、N2 |
圧力控制范围 | 1.33x 10-3Pa (常温空妒时) (133~101) x105 Pa士0.1%FS, 低圧侧 1.0~100.0士0.1 Torr, 高圧侧100~760士5 Torr |