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多晶合成炉主要用于GaAs、CdTe等多种化合物材料的多晶合成工艺。
多晶合成炉设备特点
十年炉体生产工艺经验，寿命长、温场稳定。
高低温炉体独立可控，保证了合成过程中的安全稳定。
顶部水冷系统及精准的工艺流程控制，提升工艺保障力。
技术参数
| 电源电压 | 380V |
| 控温精度 | ±0.2℃ |
| 功率 | 35kw |
| 炉膛尺寸 | 120mm |
| 高温炉体长度 | 900mm |
| 低温炉体长度 | 750mm |
| 高温炉体长期工作温度 | 1250℃ |
| 低温炉体长期工作温度 | 1250℃ |
| 冷却方式 | 水冷 |
| 炉体结构 | 卧式多温区管状 |
| 加热温区段数 | 8段（高温5段，低温3段） |
| 显示及监控段数 | 8段 (可定制) |
| 控制方式 | 微控 |
| 升温超调 | 优于0.3℃ |
| 生长过程慢速降温超调 | 优于0.3℃ |
