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设备简介
PS-200单靶磁控溅射镀膜机主要由真空室、磁控靶、旋转基片架、真空系统、机架、电器控制等几大部分组成。可用来制备导电膜、金属膜、介质膜、半导体膜、绝缘膜、多层膜等。设备结构紧凑，占地面积小适合高校实验室及科研院所。
环境要求
供电：AC220V，功率≥20KVA
独立地线：＜3Ω，从设备到地线连接建议采用≥10mm2 的扁平铜线
供水：流量≥10L/min 水温0～25℃
室温：＜30℃
相对湿度：＜75%
高纯氩气
室内无腐蚀易燃、易爆、有毒气体，无大的尘埃。
技术参数
| 真空室尺寸（内径X高） | Ф200×200mm |
| 极限真空 | 2X10-4 Pa |
| 恢复工作真空 | 从大气抽至8X10-4 Pa,≤40min |
| 工作真空 | ≤6X10-1Pa |
| 升压率 | ≤8X10-1Pa/h |
| 基片架旋转速度 | 2～20rpm可调 |
| 靶-片距 | 80～120mm |
| 真空系统 | 分子泵：FF63/80 型 62 L/S |
| 机械泵：TRP-12型 3L/S | |
| 总功率 | 20KVA |
| 设备占地尺寸 | 800X800 |
