1、主要特点：

• 数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

• 微一体化、同步测量压力和温度

• 一体化封装结构坚固可靠、性能稳定

• 多种压力与温度类型组合、量程范围宽

• 适于压力传感器智能化

 

2、主要性能技术指标

序号	项目	规格指标								备注
1	组合敏感类型	表压-温度	绝压-温度		差压-静压-温度			表压-绝压-温度
2	压力敏感芯片类型	PN结,SOI
3	温度元件类型	扩散硅、薄膜铂电阻								1*
4	基准压力量程	表压、		绝压		差压			静压
		20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa		100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、60MPa		0～1kPa、6kPa、10kPa、30kPa 、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa			1MPa、6MPa 10MPa 30MPa	1*
	压力过载能力	表压、绝压单向≥3（≤10MPa）、≥1. 5倍基准量程（＞10MPa）、≥1. 25倍基准量程（≥60MPa）					差压双向≥4倍基准量程			2*
	被测介质	与金属、单晶硅兼容的非腐蚀性、绝缘气体和液体
	压力桥路电阻	3～5kΩ、
4	零点输出	≤ ±1mV								3*
5	压力满量程输出	≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基准量程）								3*
6	压力准确度	≤ ±0.25%FS（典型值）								3*、4*
7	差压灵敏度对称性	≤ ±0.3%FS（典型值）
8	工作温度	-55～+125℃（PN结）,-55～+180℃（SOI）								5*、1*
9	零点热漂移	PN结：≤±1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基准量程）								3*、6*
		SOI：≤± 1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基准量程）
10	满量程热漂移	PN结芯片：≤1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基准量程）								3*、6*
		SOI芯片：≤±1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基准量程）
11	绝缘电阻	>100MW								8*
12	短期稳定性	±0.05%FS/8h								3*
13	长期稳定性	≤±0.1%FS/年（PN结）；≤±0.08%FS/年（SOI）								3*
14	激励电源	恒流0.5～1.5mA,或恒压5V～10V
15	热敏电阻阻值	扩散硅40～60kΩ；铂薄膜Pt100、Pt200、Pt500、Pt500
16	热电阻温度系数	扩散硅≥30Ω/℃；铂薄膜3850ppm/℃
	电气连接模式	接插件、多芯线缆
17	测量接口形式	螺纹、法兰

注：1^*.可用户定制； 

      2^*.表压和绝压量程上限之差≤最小量程上限3倍；     

      3^*. 5VDC恒压激励，恒温25℃；

      4^*.非线性数据计算为最小二乘法；

      5^*.-55℃为器件温度，125℃为PN结器件温度；

      6^*.55℃温区为-30～25℃或25～80；

注：可提供定制服务，如有需求请与营销人员联系。