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三代像增强器是一种把微弱光信号增强的真空型光电器件,由光电阴极、微通道板(MCP)、荧光屏和高压电源组成。当入射光信号入射到光电阴极上,阴极表面逸出电子而形成光电子,来自阴极面的光电子被电场加速后向微通道板运动并进入其通道轰击内壁产生二次电子发射,二次电子多次碰撞管壁产生多次电子倍增,从MCP输出的倍增电子被电场加速后入射到荧光屏上,转换成光子,输出光信号,实现入射光信号的放大增强。
本产品以新一代ALD-MCP为关键核心部件,结合负电子亲合势的GaAs半导体光电阴极,提供的灵敏度、信噪比和寿命等性能,跟二代像管对比,三代像管与星光的光谱分布有更好的匹配,且GaAs在800nm波段近红外响应使得三代像增强器在无月星光场景发挥出色,提供更为丰富的场景信息和增强的对比度。
中科原子IGen3+三代像增强器集成高灵敏度GaAs阴极、新型低噪声高性能ALD-MCP微通道板以及Al2O3离子阻挡薄膜技术,采取双近贴封装结构,实现出色的MTF、高信噪比以及长寿命性能,适用于更低照度的夜视场景需求。
(1)高分辨率近贴结构;
(2)高量子效率III-V族GaAs半导体光阴极 ;
(3)新型低噪声高性能ALD-MCP技术;
(4)三氧化二铝薄膜防离子反馈。
阴极灵敏度 | ≥1600μA/lm |
辐射灵敏度 | ≥150mA/W@830nm |
极限分辨力 | ≥64lp/mm |
信噪比 | ≥25 |
品质因素 | ≥1600 |
等效背景照度 | ≤0.25μlx |
IGen3+三代像管视场均匀性 IGen3+三代像管成像测试(5*10-5lx) IGen3+三代像管分辨率测试
产品详情:
三代像增强器