一、设备名称、型号： 12寸晶圆自动管式炉
二、系统组成 2.1FAB上下料 2个上下料口(并列) FOUP ID 识别 Wafer位置识别 操作启动开关 2.2晶元输送 2.2.1FBA开盖 FOUP固定,解锁,取盖 2.2.2晶元输送机械手 双臂式传输 高纯度AL2O3托盘 按规划路径将晶元从FOUP传送至炉体装 料腔中 2.2.3炉体开盖 将炉体装料腔腔门打开
2.3炉体(热处理) 2.3.1加热腔 外部采用不锈钢外套,中部采用FEC加热器和相应保温材料,内部为石英炉管 多层环形加热器,有效使用高度 > 1000mm 底部通入工艺气氛,O2和N2可编程选择 烟气冷凝回收 底部具有自保护盖体功能 高温焦油裂解功能 降温方式：鼓风机将空气吹入炉管与加热器之间的夹腔，强制风冷降温。 多路多层环形进气,保证炉膛的冷却可控 2.3.2装料腔 石英支架,处理量为100PCS 12inch晶圆 升降采用移动式滑台机构（无杆电缸）, 2.4控制柜 2.4.1气源箱 对于空气,O2,N2进行逻辑控制 调节各路进气的流量 2.4.2电源箱 动力配电 仪器仪表放置 氧含量分析系统可选 2.5控制系统 人机界面采用触摸屏方式 核心控制器采用嵌入式控制器 超温保护为独立检测器件 具有氧含量检测功能 运动控制为伺服/步进控制单元 传输为专业晶元传输机器人 软件具有功能:温度控制,气氛控制,工艺编辑,数据记录,图表显示.
三、基本配置 3.1处理产品:12inch 晶圆 3.2处理量:90PCS/管，共180PCS 3.3加热器:圆形FEC加热板 3.4加热区域:>1000mm 3.5外形尺寸: 本体:2500×3500×3500(W×D×H) 控制柜:800×600×2200(W×D×H) 3.6上料口:2 3.7机械手:1 四、技术指标 4.1长期使用温度: 350℃，温度上限：750℃； 4.2升温速率:>30℃/min 4.3降温速率:>5℃/min 4.4加热功率：36kW(单炉)； 4.5加热温区: 3个； 4.6炉温均匀性: ±7℃（350℃恒温）； 4.7程序控制：P.I.D控制； 4.8温度控制方式: SSR 4.9控温热偶: K分度； 4.10气氛: N2/O2； 4.11炉膛材料：石英玻璃； 4.12保温材料：陶瓷纤维； 4.13气氛控制：多路流量计调节进气，流量计量程为24～240L/min； 4.14排气系统：在顶部设置排气烟囱，用于废气排放,回收； 4.15设备重量：约2t； *技术细节变动之处，恕不另行通知，具体设备参数以咨询结果为准。
真萍科技作为专业的热处理设备制造厂商，可根据客户工艺需求定制您需要的满意产品，有需求的客户
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