CVD气相沉积炉的简介

CVD气相沉积炉也叫cvd管式炉,由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。可实现高真空状态下、混合气体化学气相沉积和扩散试验。

CVD管式炉主要用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD/CVI实验，特别适用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备、纳米线生长、电池材料干燥烧结等场所。

CVD管式炉是在高温条件下通过一定的化学反应将物质转化成固态薄膜的一种重要设备。它广泛应用于材料科学研究、能源、电子、国防等领域。

CVD管式炉能够在高温下提供稳定的加热环境，促进化学反应，合成高质量的固态薄膜。

PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

CVD气相沉积炉特点

1.薄膜沉积速率高：射频辉光技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S;

2. 大面积均匀性高：采用了的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%;

3. 一致性高：用半导体行业的设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%;

4. 工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定;

5.智能CVD设备是目前型的一款设备，将所有的控制部分集为一体，此款设备是博纳热获得的设备。高温真空加热炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统。电气元件采用优质的进口产品，做到高性能、免维护，提高了设备质量的可靠性。

6.适用范围宽:金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，连续生长各种薄膜等。增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能。