HMDS基片预处理系统-真空镀膜机

一·应用领域
HMDS基片预处理系统主要适用于硅片、砷化镓、陶瓷、不锈钢、铌酸锂、玻璃、蓝宝石、晶圆等材料，为基片在涂胶前改善表面活性，增加光刻胶与基底的粘附力的专用设备，也可用于晶片其它工艺的清洗，尤其在芯片研发和生产领域应用更加普及。

二. 满足标准
1、GB/T 29251-2012真空干燥箱
2、GB/T 11164-2011真空镀膜设备通用技术条件
3、JB/T 6922-2015  真空蒸发镀膜设备
4、SJ/T 11185-1998 蒸发镀膜设备通用规范
5、SJ/T 31083-2016 真空镀膜设备完好要求和检查评定方法

三. 应用背景
在半导体（芯片/集成电路）生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶，等现象，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。通过HMDS预处理系统预处理后，使基片表面涂布一层硅氧烷为主体的化合物，可以改善以上各种状况，从而大大提高了产品质量，降低次品率。

四. 工作原理
设备为PLC工控全自动运行，通过高温烘烤基片，去除其表面的水分，充入HMDS（六甲基二硅氮烷C6H19NSi2）气体，在高温作用下，基片表面和HMDS充分融合反应，生成以硅氧烷为主体的化合物，使基片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。

五. 使用流程
启动真空泵使腔体内达到设定真空值，待腔内真空度达到某一高真空后，开始冲入氮气，然后再进行真空操作，再次充入氮气，经过反复真空充氮，可提高箱体内洁净度，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分，然后再次开始抽真空，冲入HMDS气体，在达到设定时间后停止充入，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当保持时间达到设定值后，再次开始抽真空，冲入氮气，完成整个作业过程。

六．技术参数

HMDS基片预处理系统-真空镀膜机

七·产品亮点
1、控制采用PLC工控自动化系统，人机界面采用触摸屏，具有可靠性高，操作方便、直观等特点.
2、超大观测窗，外层采用透光度99%的亚克力板，内层采用高强度钢化玻璃，全程可视化监测。
3、内胆采用防腐防酸碱不锈钢，四角圆弧设计，易清洁。
4、去水烘烤和增粘（疏水）处理一机完成，无需转移，有效规避HMDS（六甲基二硅氮烷C6H19NSi2）泄露的危险。
5、处理更加均匀。由于它是以蒸汽的形式涂布到基片表面上，所以比液态涂布更均匀。
6、效率高。液态涂布是单片操作，而本系统一次可以处理多达4~20盒的晶片。
7、更加节省药液。以蒸汽的形式涂布到晶片表面上，一次可以处理多达4~20盒的晶片，更加节省药液； 
8、更加环保和安全，HMDS是有毒化学药品，人吸入后会出现反胃、呕吐、腹痛、刺激胸部、呼吸道等，由于整个过程是在密闭的环境下完成的，所以人接触不到药液及其蒸汽，也就更加安全，它的尾气是直接由机械泵抽到尾气处理机，降低对环境的污染。

                             
 
八.安全保护
1、超温报警   2、过流过载保护    3、快速熔断器    4、接地保护    5、缺相保护    6、漏电保护器    

九· 特别注意
1、HMDS基片预处理系统测试条件：空载、无强磁、无震动、环境温度20℃、环境相对湿度50%RH。
2、本公司可根据客户不同需要，设计，制造各种相关温度、湿度、真空度、洁净度、气体浓度等参数的箱体设备。