非极性GaN晶体基片
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上海添时科学仪器有限公司
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产品名称：
非极性氮化镓(GaN)晶体基片
技术参数：
晶体定位面：
A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.
传导类型：
N型；半绝缘型
电阻率：
R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm
表面粗糙度：
<0.5nm
位错密度：
<5x106Ω.cm
可用表面积：
>90%
TTV:
≤15um；
产品规格：
常规尺寸：10x5x0.5mm；
厚度公差：+/-0.05mm；
注：可按照客户要求加工尺寸及方向。
标准包装：
1000级超净室100级超净袋
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