金刚石薄膜（DOS）
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上海添时科学仪器有限公司
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产品名称：
金刚石薄膜(Diamond on Silicon Wafer)
技术参数：
Si面晶向：
<100>+/-0.5°
金刚石薄膜厚度：
2um;1um
电阻率：
10E3~10E4ohm-cm
产品规格：
dia4"x0.5mm；
标准包装：
1000级超净室100级超净袋或者单片盒封装
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