Al2O3+GaN薄膜 （国产）
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上海添时科学仪器有限公司
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产品名称：
产品简介：
技术参数：
掺杂类型：
N type
半绝缘型
产品定位边：
C轴<0001>+/-1.0°
常规尺寸：
dia2"
厚度：
15um,20um,30um,40um
30um,90um
电阻（300K)：
<0.05Ω.cm
>106 Ω.cm
位错密度：
<1x108 cm-2
衬底结构：
GaN on Sapphire
有效面积：
>90%
抛光：
单抛或者双抛
产品规格：
常规规格：dia2″
标准包装：
1000级超净室100级超净袋或单片盒包装
联系方式
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