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规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射*电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 900 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4300 W
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Screw Mount
栅极/发射*电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FZ900R12KE4HOSA1 SP000524466
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