导电材料电阻率测试仪量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,误差：±0.2%读数±2字
本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.电阻：1×10-5～2×105Ω本标准适用于侧量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量材底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围，10-* n·cm～10' Ω·cm。分辨率：  0.1uV  1uV 10uV  100uVGB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法在中国标准分类中，四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。
 

导电材料电阻率测试仪主机外形尺寸：330mm*340mm*120mmGB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂建外延层厚度的红外反射测显方法范围本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法电阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、电阻测量范围：本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。
 

规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，敷励根据本标准达成协议的各方研究是香可使用这些文件的醉新服本。凡是不注日期的引用文件，其醉新版本适用于本标准。
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法根据样品的厚度以及期望测试结果的精度选取合适步进，将样品调节到测试位置。
CB/T1550 非本征率导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552 硅、储单晶电阻率测定 直排四探针法测量按CGB/T 1S59 确定样品的导电类型，按GB/T 15 确定样品的晶肉;如样晶为外题片，按 GB/T 14847 确定样品外延层的厚度， 按第6 章制备好样品。
试验报告应包括以下内容， 样品编号;样品的导电类型、晶体晶向，着是外延片，还应有外延层厚度及其测试方法;）样品表面的制备条件; 环境温度;操针间距、步距和操针负荷;测量区域的扩展电阻、浓度、电阻率的级向分布图及数据，本标准编号; 测量者测量日期。
电导率：5×10-6～1×108ms/cm提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求
测量电压量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法在电脑中输入样品的测试编号，结构，品向，角度（或斜角值）.步进、圆试点数，进行测试，测试过程中应保证测试台不受任何碰撞。
将粘有制备好样品的斜角磨块固定安放在测试台上，调节样昌到显微被观客位置，使报针的初始下降位置与制备好样品的斜面的斜被重合。
样品的角度测定斜角磨块角度小于或等于109'的样品多须要进行小角度测量， 斜角磨块角度大于或等于 ?54'的样品，斜角磨块的角度值定为料角值。 
分辨率：  醉小1μΩ 测量精度±（0.1%读数）电流输出：直流电流?0～1000mA?连续可调，由交流电源供电。测量误差±5%方法原到扩展电阻法是一种实验比较法。利用每个合格的样品测得扩展电阻的平均值和对应的电阻率平均值拟合得到R，-p双对数坐标校准曲线.

显示方式：液晶显示测试完成后及时将样品取下测试台。根据样品的结构选择合适的校准曲线进行数据处理可得到相对应的浓度，电阻率的级向分布， 3 试验报告电源：220±10% 50HZ/60HZ