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HAS 500-SHAS 500-S LEM传感器
HAS 500-S
基本参数：
输出继电器类型：Instantaneous
技术：Open loop Hall Effect
测量：Current
原边理论值：500A
精度：1%
封装：-
测量范围：900A
供电电压：15-15
供电电压类型：Bipolar
副边信号：4V
特点：
• 霍尔效应测量原理
优点：
• 易于安装
• 低功率消耗
• 小尺寸，节省空间$r$ 参考价面议 -
RH45M-VDK.4F.1RRH45M-VDK.4F.1R施乐百风机优势供应
RH系列
RH40M-4DK.4C.1R RH40M-4EK.4F.1R（1-220V 50HZ）
RH45M-4EK.4I.1R RH45M-SDK.4C.1R
RH45M-4DK.4F.1R RH56E-4DK.6N.1R
广泛应用于高压变频器行业，我公司常备现货，欢迎垂询
后向型叶片直径范围225-900mm，前向型叶片直径范围16 参考价面议 -
FF300R12ME4FF300R12ME4
FF300R12ME4
技术参数：
• Ic（A）,Tc=80℃ 300
• Vce（sat）,Max（V） 2.1
• Ton（us） 0.19
• Toff（us） 0.6
• Rth（j-c）,K/W 0.094
• Pc（W） 1600
• 封装 参考价面议 -
BSM150GB120DN2BSM150GB120DN2
BSM150GB120DN2
技术参数：
• Ic（A）,Tc=80℃ 150
• Vce（sat）,Max（V） 3.7
• Ton（us） 0.4
• Toff（us） 0.8
• Rth（j-c）,K/W 0.1
• Pc（W） 1250
• 封装 参考价面议 -
FS100R12KT4FS100R12KT4G英飞凌IGBT模块变频器模块
FS100R12KT4G FS200R12KT4G FS150R12KT4G 参考价面议 -
FP75R12KT4FP75R12KT4英飞凌IGBT模块优势直供
FP35R12KT4
技术参数：
• Ic（A）,Tc=80℃ 35
• Vce（sat）,Max（V） 2.25
• Ton（us） 0.17
• Toff（us） 0.45
• Rth（j-c）,K/W 0.72
• Pc（W） 210
• 封装 参考价面议 -
FF450R12KT4FF450R12KT4英飞凌IGBT模块优势库存
FF450R12KT4
技术参数：
• Ic（A）,Tc=80℃ 450
• Vce（sat）,Max（V） 2.15
• Ton（us） 0.18
• Toff（us） 0.54
• Rth（j-c）,K/W 0.062
• Pc（W） 2400
• 封装 参考价面议 -
FF300R12KT4FF300R12KT4英飞凌IGBT模块
FF300R12KT4
技术参数：
• Ic（A）,Tc=80℃ 200
• Vce（sat）,Max（V） 2.15
• Ton（us） 0.18
• Toff（us） 0.54
• Rth（j-c）,K/W 0.093
• Pc（W） 1600
• 封装 参考价面议 -
FF200R12KT4FF200R12KT4英飞凌优势直供
FF200R12KT4
技术参数：
• Ic（A）,Tc=80℃ 200
• Vce（sat）,Max（V） 2.15
• Ton（us） 0.18
• Toff（us） 0.54
• Rth（j-c）,K/W 0.135
• Pc（W） 1100
• 封装 参考价面议