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　　《方案》涵盖突破产业关键技术；加快中试转化进程；建设创新平台体系；推动产业集聚发展；大力培育领军企业；加强合作协同创新；关键材料装备攻关工程；产业强链补链建设工程；核心产品示范应用工程；前沿技术产业培育工程等多方面具体工作。
 

　　《方案》明确，力争到2030年取得10项以上光芯片领域关键核心技术突破，打造10个以上“拳头”产品，培育10家以上具有国际竞争力的一流领军企业，建设10个左右国家和省级创新平台，培育形成新的千亿级产业集群，建设成为具有全球影响力的光芯片产业创新高地。
 

　　在重点任务方面，要加快突破产业关键技术。强化光芯片基础研究和原始创新能力。鼓励有条件的企业、高校、科研院所等围绕单片集成、光子计算、超高速光子网络、柔性光子芯片、片上光学神经网络等未来前沿科学问题开展基础研究。支持科技领军企业、高校、科研院所积极承担国家级光芯片相关重大攻关任务，形成一批硬核成果。
 

　　省重点领域研发计划支持光芯片技术攻关。加大对高速光通信芯片、高性能光传感芯片、通感融合芯片、薄膜铌酸锂材料、磷化铟衬底材料、有机半导体材料、硅光集成技术、柔性集成技术、磊晶生长和外延工艺、核心半导体设备等方向的研发投入力度，着力解决产业链供应链的“卡点”“堵点”问题。
 

　　加大“强芯”工程对光芯片的支持力度。扩大省级科技创新战略专项、制造业当家重点任务保障专项等支持范围，将面向集成电路产业底层算法和架构技术的研发补贴、量产前首轮流片奖补等产业政策，扩展至光芯片设计自动化软件(PDA工具)、硅光MPW流片等领域，强化光芯片领域产品研发和产业化应用。
 

　　加快中试转化进程。加快建设一批概念验证中心、研发先导线和中试线。支持企业、高校、科研院所等围绕高速光通信芯片、高性能光传感芯片、红外光传感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜铌酸锂、化合物半导体、硅基(异质异构)集成、光电混合集成等领域，建设概念验证中心、研发先导线和中试线，加快科技成果转化进程。
 

　　支持中试平台积极发挥效能。支持中试平台围绕光芯片相关领域，向中小企业提供原型制造、质量性能检测、小批量试生产、工艺放大熟化等系列服务，推动新技术、新产品加快熟化。鼓励综合性专业化中试平台为光芯片领域首台套装备、首批次新材料等提供验证服务，符合条件的依法依规给予一定政策和资金支持。
 

　　鼓励中试平台孵化更多创新企业。鼓励中试平台搭建众创空间、孵化器、加速器等各类孵化载体，并通过许可、出售等方式将成熟技术成果转让给企业，或将部分成果通过设立子公司的方式实现商业化，孵化培养更多光芯片领域新物种企业。
 

　　在关键材料装备攻关工程方面：加快开展光芯片关键材料研发攻关。大力支持硅光材料、化合物半导体、薄膜铌酸锂、氧化镓薄膜、电光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光学传感材料、电光拓扑相变材料、光刻胶、石英晶体等光芯片关键材料研发制造。
 

　　推进光芯片关键装备研发制造。大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代。落实工业设备更新改造政策，加快光芯片关键设备更新升级。
 

　　支持光芯片相关部件和工艺的研发及优化。大力支持收发模块、调制器、可重构光神经网络推理器、PLC分路器、AWG光栅等光器件及光模块核心部件的研发和产业化。支持硅光集成、异质集成、磊晶生长和外延工艺、制造工艺等光芯片相关制造工艺研发和持续优化。
 

　　在核心产品示范应用工程方面：加强光芯片产品示范应用。大力支持光芯片在新一代信息通信、数据中心、智算中心、生物医药、智能网联汽车等产业的场景示范和产品应用。培育更多应用场景，加大光芯片产品在信息传输、探测、传感等领域的应用，推动相关领域半导体产品升级换代。
 

　　在前沿技术产业培育工程方面：围绕光芯片前沿理论和技术问题开展基础攻关和研发布局。支持企业、高校、研究机构等围绕光神经网络芯片、光量子芯片、超灵敏光传感探测芯片、光电异质异构混合集成芯片、微腔光电子芯片、幂次增长算力光芯片等技术领域研发布局，努力实现原理性突破、原始性技术积累和开创性突破。